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    PECVD管式爐

    產(chǎn)品介紹

    PECVD管式爐又叫做等離子增強化學氣相沉積(PECVD)的設備,是制造半導體器件和電池(電池片、正負極電池材料等)、晶體生長(石墨烯生長、磚石生長等材料)的重要工具之一。

    PECVD系統(tǒng)是借助微波或射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,合成高質(zhì)量的薄膜材料,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

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    PECVD管式爐

    PECVD管式爐的組成結(jié)構(gòu)

    pecvd設備

    PECVD管式爐結(jié)構(gòu)圖

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    PECVD設備實拍

    PECVD管式爐的工作原理

    PECVD是通過外部增加的電場作用于系統(tǒng)內(nèi)參與反應的氣體,使氣體電離產(chǎn)生輝光放電效應,從而可以在基體上高速沉積薄膜,是CVD中最大的細分市場。

    在高溫和低壓的條件下,利用微波或射頻等離子體增強化學反應,氣態(tài)物質(zhì)經(jīng)過化學反應生成固態(tài)物質(zhì),并在基材表面沉積形成薄膜。這個過程可以通過調(diào)節(jié)溫度、壓力、微波或射頻功率等參數(shù)來控制薄膜的生長和性質(zhì)。

    PECVD管式爐的應用領域

    半導體制造:

    PECVD管式爐可用于制造半導體器件和集成電路,如存儲器、微處理器、光電傳感器等。

    光伏電池制造:

    PECVD管式爐可用于制造高效光伏電池,如硅基光伏電池、化合物光伏電池等。

    光學器件制造:

    PECVD管式爐可用于制造光學器件,如光學濾波器、光學薄膜等。

    電子器件制造:

    PECVD管式爐可用于制造各種電子器件,如薄膜電阻、電容、電感等。

    納米材料制備:

    PECVD管式爐可用于制備各種納米材料,如納米晶體、納米纖維等。

    PECVD管式爐是一種重要的實驗設備,在半導體制造、光伏電池制造、光學器件制造、電子器件制造等領域有著廣泛的應用。它具有等離子增強化學反應、高溫、低壓環(huán)境、高質(zhì)量薄膜、多樣的化學反應、

    設備優(yōu)勢

    • 設備優(yōu)勢
      • PECVD非晶硅沉積速率快,可實現(xiàn)原位摻雜,將沉積工藝總時間控制在35分鐘以內(nèi)。雖然PECVD也會在硅片側(cè)面及電池正面邊緣區(qū)產(chǎn)生輕微的繞度區(qū),但是易于去除。

        此外,PECVD的非晶硅僅沉積在石墨舟上,可定期清理,無需石英管耗材。

        1、電源范圍廣;

        2、溫度范圍寬;

        3、濺射區(qū)域長;

        4、整管可調(diào);

        5、精致小巧,性價比高;

        6、可實現(xiàn)快速升降溫,是實驗室生長薄膜石墨,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等的好選擇;

        7、也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

    設備應用

    針對材料的高溫燒結(jié)工藝保證耐熱及絕緣性可靠性設計,新型電極結(jié)構(gòu)避免了高溫爐電極漏水現(xiàn)象,并且加熱系統(tǒng)中的易損部件更便于維修和更換。

    • 耐熱性高

    • 安全性好

    • 維修高效

    PECVD管式爐主要用于

    • 硬質(zhì)合金
    • 陶瓷(氧化鋯陶瓷、氧化鋁陶瓷等)
    • 磁性材料
    • 粉末材料

    技術(shù)參數(shù)

    定制產(chǎn)品

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